NEW PRODUCTKSG-14
DX、AI、EV化、自動運転技術……
今や世の中の発展に半導体の進化は必要不可欠です。
その半導体の進化を支えているのは、高精度の加工技術です。
KSG-14は、半導体製造工程におけるエッチングガスとして、微細化や生産性の向上に貢献し、半導体の進化を支えます。
環境性能も高く、生産性の向上によりエネルギー、水などの消費を削減します。さらにGWPも非常に低く、地球温暖化を抑制します。
エッチング性能Etching Performance
KSG-14は、SiO2とSiNの同時エッチングの条件において、マスク材料のエッチングを抑制する性能を有しています。
| エッチング性能（当社評価, ブランケットウエハ使用） | |
|---|---|
| ガス流量 | Etching Gas/Ar /O2 = 20 / 50 / 0 ~ 50 sccm |
| 圧力 | 10 Pa |
| プラズマ出力 | 300 W (single-frequency) |
| エッチング時間 | 1 min |
環境性能Environmental Performance
CO2排出量削減への寄与
KSG-14はc-C4F8に比べ圧倒的にGWPが低く、さらに、半導体製造プロセスから排気される、プロセスガス由来の温室効果ガスを大幅に削減できます。
*自社プロセス排ガス分析結果に対してIPCC Chapter 6 “ELECTRONICS INDUSTRY EMISSIONS” 記載の計算方法を用いて算出
**c-C4F8のCO2eを100とする
採用例Application to Manufacturing (3D-NAND)
デバイス量産適用（3D-NANDメモリチャネルホールエッチングプロセス）
キオクシア株式会社の3D-NANDデバイス製造におけるメモリチャネルホールエッチングプロセスにおいて採用され、エッチングレート、マスク選択比、垂直加工形状に対して改善効果が確認されています。
KSG-14のデバイス製造における適用に関しては、キオクシア株式会社のホームページにて、詳しい内容を掲載頂いております。
https://www.kioxia.com/ja-jp/rd/technology/topics/topics-62.html