半導体は私たちの便利な生活を支えています。
しかし、その製造には環境影響の大きなものも使われています。
便利な生活を守りつつ、環境にも配慮したい…

KSG-5は、環境影響の小さいエッチングガスとして、半導体の製造と私たちの生活を守ります。
エッチング性能
Etching PerformanceKSG-5は、シリコン含有膜に対してCF4、CHF3同等のエッチング性能を有し、一方、マスク材料のエッチングは抑制する性能を有しています。


エッチング性能(当社評価, ブランケットウエハ使用)
ガス流量 | Etching Gas/Ar /O2 = 20 / 50 / 0 ~ 10 sccm |
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圧力 | 10 Pa |
プラズマ出力 | 300 W (single-frequency) |
エッチング時間 | 1 min |
環境性能
Environmental PerformanceCO2排出量削減への寄与
KSG-5はCF4、CHF3に比べ圧倒的にGWPが低く、さらに、半導体製造プロセスから排気される、プロセスガス由来の温室効果ガスを大幅に削減できます。


**CHF3のCO2eを100とする