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KSG-5

半導体は私たちの便利な生活を支えています。
しかし、その製造には環境影響の大きなものも使われています。
便利な生活を守りつつ、環境にも配慮したい…

KSG-5は、環境影響の小さいエッチングガスとして、半導体の製造と私たちの生活を守ります。

エッチング性能

Etching Performance

KSG-5は、シリコン含有膜に対してCF4、CHF3同等のエッチング性能を有し、一方、マスク材料のエッチングは抑制する性能を有しています。

エッチング性能(当社評価, ブランケットウエハ使用)

ガス流量 Etching Gas/Ar /O2 = 20 / 50 / 0 ~ 10 sccm
圧力 10 Pa
プラズマ出力 300 W (single-frequency)
エッチング時間 1 min

環境性能

Environmental Performance

CO2排出量削減への寄与

KSG-5はCF4、CHF3に比べ圧倒的にGWPが低く、さらに、半導体製造プロセスから排気される、プロセスガス由来の温室効果ガスを大幅に削減できます。

*自社プロセス排ガス分析結果に対してIPCC Chapter 6 “ELECTRONICS INDUSTRY EMISSIONS” 記載の計算方法を用いて算出
**CHF3のCO2eを100とする